Revista de Pesquisa e Aplicações Físicas

Ajustando as propriedades eletrónicas da folha de grafeno através do estudo DFT de dopagem com boro e azoto-A

Ranjeet Kumar*

Neste trabalho investigámos a abertura do band gap alterando o B e o N na superfície nano de grafeno. Verificámos que o grafeno substituído por B e N dinâmicamente um band gap eletrónico na gama de 0,13-0,24 eV. Os cálculos de DFT polarizados por rotação (teoria do funcional da densidade) sugerem DOS assimétricos para componentes de rotação ascendente e descendente. Portanto, estes materiais também possuem um comportamento magnético. As substituições de B e N são realizadas nas concentrações de 3%, 6%, 9% e 12%. A tendência mostra que com o aumento da concentração de dopagem o nível de Fermi diminuiu e aumentou, respetivamente, para o grafeno dopado com B e N. O grafeno dopado com B serve como semicondutor do tipo p, enquanto o grafeno dopado com N serve como semicondutor do tipo n.