Revista de Engenharia Elétrica e Tecnologia Eletrônica

Caracterização por Microondas de uma Amostra de Carboneto de Silício na Banda ISM de 25°C a 165°C

Rammal W, Rammal J, Salameh F, Taoubi M, Fouany J, Alchaddoud A e Canale L

Este artigo apresenta uma caracterização de micro-ondas na banda ISM (2,45 GHz) para as propriedades dielétricas de uma amostra de Carboneto de Silício com tangente de alta perda de 25°C a 165°C. Foram utilizadas diferentes técnicas para caracterizar a amostra de SiC: a técnica da cavidade ressonante cilíndrica em modo de transmissão e reflexão, o ressonador de anel de microfita e finalmente a microscopia de campo próximo por microondas. Os resultados obtidos pela cavidade ressonante cilíndrica (transmissão e reflexão) estão em boa concordância, a permissividade relativa e a tangente de perda do SiC aumentam com a temperatura em 48% e 190% respectivamente entre os 25°C e os 165°C. Estas técnicas são precisas, mas necessitam de dois ciclos térmicos. Os resultados obtidos pelo ressonador de anel microfita são menos precisos que os da cavidade ressonante e o baixo factor de qualidade (Q0=2,5) não permite determinar correctamente a parte imaginária da permissividade e consequentemente, a tangente de perda. Por fim, a técnica de microscopia de campo próximo por microondas mostra uma medição precisa com baixas incertezas na parte real (<2%) e imaginária (<5%) da permissividade. Estes resultados estão de acordo com as técnicas de cavidade ressonante, no entanto esta técnica necessita apenas de um ciclo térmico o que permite poupar tempo durante as medições.