Revista de Engenharia Elétrica e Tecnologia Eletrônica

Estudo de gases de eletrões bidimensionais para heteroestrutura baseada em GaN

Rahman MS, Babuya SK, Mahfuz MA, Siddiki FBT e Mahmood ZH

A densidade de portadores de folhas de gás de eletrões bidimensionais (2DEG) é investigada para heteroestruturas AlGaN/GaN, AlN/GaN e InGaN/GaN utilizando um simulador de equação de Schrödinger-Poisson auto-consistente. A simulação também tem em conta a física subjacente às características da natureza da densidade 2DEG. A dependência da densidade 2DEG na composição da liga, na espessura da camada do canal e na alteração da tensão da porta são investigadas no processo. Esta simulação exibe a comparação da densidade do suporte de folhas 2DEG entre diferentes heteroestruturas. A densidade máxima de suporte de folhas 2DEG obtida para o AlGaN/GaN é de 1,76×10 ¹³ cm ^-2 , para o AlN/GaN é de 2,16×10 ¹³ cm ^-2 e para o InGaN/GaN é de 1,82×10 ¹³ cm ^-2 sem qualquer tensão de polarização.