Revista de Engenharia Elétrica e Tecnologia Eletrônica

Modelo de corrente de drenagem de limite secundário dependente da temperatura para junção sem gate em todo o MOSFET com pilha de gate High-K

Suman Sharma, Rajni Shukla e MR Tripathy

Um modelo de corrente de drenagem de sublimiar dependente da temperatura para MOSFET de porta sem junção (JL) em toda a volta (GAA) com pilha de portas de alto k é desenvolvido neste artigo. A equação de Poisson em coordenadas cilíndricas foi resolvida através da Aproximação do Potencial Parabólico (PPA). O efeito da variação de temperatura de 300-500 K no desempenho sublimiar do MOSFET JL-GAA, variando a espessura da pilha de portas, foi obtido através do modelo proposto. O modelo desenvolvido foi também utilizado para estudar o Sub-limiar-Slop do MOSFET JL-GAA a alta temperatura ambiente. O estreitamento de bandas também está incluído no modelo analítico, uma vez que a concentração de dopagem é muito elevada. A ferramenta de simulação de dispositivos Atlas-3D foi utilizada para as simulações numéricas. O modelo dependente da temperatura desenvolvido para o MOSFET JL-GAA com dielétrico de alto k tem uma estreita concordância com os resultados da simulação. O modelo desenvolvido é muito útil para a otimização do dispositivo; à medida que as dimensões do dispositivo reduzem na direção radial, a redução da espessura do óxido torna-se necessária e o uso de pilha de alto k como dielétrico é exigido.